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Krakowianie i Krakowianki wysłali dziś w świat alarm smogowy. Naszym SOS wołamy o pomoc. Dusimy się w naszym mieście.
Kraków chce oddychać!
Le #steelbook 35ème anniversaire de #SOSFantomes 1&2 en blu-ray 2D+4K se dévoile enfin avec un premier visuel !
+d'info sur le blog ➡️ editioncollector.fr/7bfg
#SOS
INTERVENCION EN ESPACIO PUBLICO
Función de clown con temática ecológica de la que hizo parte la visita a la escultura “#SOS” con grupo de niños habitantes del barrio Vista Mar en el municipio de Puerto Colombia. Barrio de invasión ubicado en uno de los últimos retazos de bosque seco en el departamento del Atlántico.
Entre los problemas relacionados al medio ambiente en el municipio porteño se encuentran el mal manejo de las basuras y los desechos, ademas de encontrar especies de animales en peligro, ya sea por reduccion de su habitat, contaminacion y otras consecuencias de las practicas del ser humano en el ecossitema. Entre estas especies en peligro encontramos el Pez Chivo o Bagre de Estuario, el que se ha convertido en el símbolo de nuestra intervención. El pez chivo ha pasado de ser un producto no deseado de la pesca a ser parte del menú habitual de los pescadores y otros lugareños ya que escasean otros peces.
La intervención se hizo durante el mes de diciembre, momento del año en el que vemos a los niños recorriendo el barrio de un lado a otro visitando las novenas donde el principal atractivo son los juguetes(que después de un tiempo terminan en la playa haciendo parte del paisaje).Por eso decidimos llevarles un mensaje distinto al que normalmente escuchan. En vez de villancicos y regalos, una función de Clown con mensaje ecológico, y a modo del flautista de Hamelin los guíamos hacia la escultura #SOS.
Damascus, 18 April 2012, within the CSR activities of Syriatel Company, the SOS children, mothers, aunts and staff has been invited at lunch by the company at The Garden Restaurant.
www.cryscore.com/silicon-on-sapphire.html
A Brief Introduction of Silicon on Sapphire Technology
Silicon on sapphire (SOS) technology is a hetero-epitaxial process for metal-oxide-semiconductor (MOS) integrated circuit (IC) manufacturing that consists of a thin layer (typically thinner than 0.6 µm) of silicon grown on a sapphire (Al2O3) wafer. SOS is part of the silicon-on-insulator (SOI) family of CMOS (complementary MOS) technologies. Typically, high-purity artificially grown sapphire crystals are used.
The silicon is usually deposited by the decomposition of silane gas (SiH4) on heated sapphire substrates. The advantage of sapphire is that it is an excellent electrical insulator, preventing stray currents caused by radiation from spreading to nearby circuit elements. SOS faced early challenges in commercial manufacturing because of difficulties in fabricating the very small transistors used in modern high-density applications.
This is because the SOS process results in the formation of dislocations, twinning and stacking faults from crystal lattice disparities between the sapphire and silicon. Additionally, there is some aluminum, a p-type dopant, contamination from the substrate in the silicon closest to the interface.
Why is Silicon on Sapphire Technology So Important to Integrated Circuit
Due to sapphire has high permittivity that can eliminate the interaction between components of the integrated circuit, not only can reduce leakage current and parasitic capacitance, enhance radiation resistance and reduce power consumption but also can improve the level of integration and two-layer wiring, thus, sapphire is the ideal material for large scale and very large scale integrated circuit.
Silicon on sapphire technology provides ideal isolation and reduces the parasitic capacitance at the bottom of the PN junction, so it is suitable for high-speed large scale integrated circuits to achieve high speed and low power consumption. This process is generally used to make CMOS circuits.
In addition, in the SOS microelectronic circuit design and production, all kinds of semiconductor devices usually need to make on the structural integrity silicon thin film, and because thermal expansion coefficient of silicon is similar to sapphire, a silicon monocrystalline film (100) can be grown on the surface orientation(1-102) of the sapphire substrate by heteroepitaxy.
At present, sapphire crystal has become a widely used substrate for the growth of semiconductor materials.